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    IRFB31N20DPBF現貨參數應用及PDF資料下載

    作者:海飛樂技術 時間:2021-01-14 17:09

      IRFB31N20DPBF場效應管,200V/31A,導通電阻0.082Ω,TO-220封裝。低開關損耗,快速的開關轉換速率。應用于高頻DC-DC轉換器。
     
    IRFB31N20DPBF應用
    高頻DC-DC轉換器
    無鉛
     
    IRFB31N20DPBF特性
    低柵、漏極,減少開關損耗
    充分表征電容,包括有效COSS簡化設計
    完全表征雪崩電壓和電流
     
    IRFB31N20DPBF基本參數
    制造商:Infineon
    產品種類:MOSFET
    安裝風格:Through Hole
    封裝/箱體:TO-220-3
    晶體管極性:N-Channel
    通道數量:1 Channel
    Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
    Id-連續漏極電流:31 A
    Rds On-漏源導通電阻:82 mOhms
    Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V
    Vgs th-柵源極閾值電壓:5.5 V
    Qg-柵極電荷:70 nC
    工作溫度范圍:- 55℃~+ 175℃
    Pd-功率耗散:200 W
    尺寸大小:15.65 mm×10 mm×4.4 mm
    正向跨導-最小值:17s
    下降時間:10 ns
    上升時間:38 ns
    典型關閉延遲時間:26 ns
    典型接通延遲時間:16 ns
    單位重量:6 g
     
    IRFB31N20DPBF其他參數

    IRFB31N20DPBF其他參數 
     
    IRFB31N20DPBF特性曲線圖
    IRFB31N20DPBF特性曲線圖 
     
     
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