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              IRFB31N20DPBF現貨參數應用及PDF資料下載

              作者:海飛樂技術 時間:2021-01-14 17:09

                IRFB31N20DPBF場效應管,200V/31A,導通電阻0.082Ω,TO-220封裝。低開關損耗,快速的開關轉換速率。應用于高頻DC-DC轉換器。
               
              IRFB31N20DPBF應用
              高頻DC-DC轉換器
              無鉛
               
              IRFB31N20DPBF特性
              低柵、漏極,減少開關損耗
              充分表征電容,包括有效COSS簡化設計
              完全表征雪崩電壓和電流
               
              IRFB31N20DPBF基本參數
              制造商:Infineon
              產品種類:MOSFET
              安裝風格:Through Hole
              封裝/箱體:TO-220-3
              晶體管極性:N-Channel
              通道數量:1 Channel
              Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
              Id-連續漏極電流:31 A
              Rds On-漏源導通電阻:82 mOhms
              Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V
              Vgs th-柵源極閾值電壓:5.5 V
              Qg-柵極電荷:70 nC
              工作溫度范圍:- 55℃~+ 175℃
              Pd-功率耗散:200 W
              尺寸大小:15.65 mm×10 mm×4.4 mm
              正向跨導-最小值:17s
              下降時間:10 ns
              上升時間:38 ns
              典型關閉延遲時間:26 ns
              典型接通延遲時間:16 ns
              單位重量:6 g
               
              IRFB31N20DPBF其他參數

              IRFB31N20DPBF其他參數 
               
              IRFB31N20DPBF特性曲線圖
              IRFB31N20DPBF特性曲線圖 
               
               
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