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    IRF4905PBF現貨參數應用及PDF資料下載

    作者:海飛樂技術 時間:2020-12-31 10:45

    IRF4905PBF應用
      英飛凌IR第五代HEXFET®功率MOSFET采用先進的工藝制造技術,并以堅固耐用著稱的HEXFET設計,具有極低的導通電阻和快速的開關轉換速率,使得IRF1404PBF成為極其高效可靠、應用范圍超廣的器件。
      TO-220封裝是所有商業工業應用的普遍首選,功耗水平約為50W。低熱阻和低封裝成本的TO-220有助于其在全世界的廣泛接受工業。
     
    IRF4905PBF特性
    先進工藝技術
    超低導通電阻
    動態dv/dt額定值
    175℃工作溫度
    快速開關
    P溝道MOSFET
    無鉛
    完全雪崩額定值
     
    IRF4905PBF基本參數
    制造商:Infineon
    產品種類:MOSFET
    RoHS: 符合
    技術:Si
    安裝風格:Through Hole
    封裝/箱體:TO-220-3
    晶體管極性:P-Channel
    通道數量:1 Channel
    Vds-漏源極擊穿電壓:55 V
    Id-連續漏極電流:70 A
    Rds On-漏源導通電阻:20 mOhms
    Vgs - 柵極-源極電壓:-±20 V
    Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
    Qg-柵極電荷:180 nC
    工作溫度范圍:- 55℃~150℃
    Pd-功率耗散:170 W
    高度:15.65 mm×10 mm×4.4 mm
    單位重量:6 g
     
    IRF4905PBF電力特性

    IRF4905PBF電力特性 
     
    IRF4905PBF特性曲線圖
    IRF4905PBF特性曲線圖 
     
     
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