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    IRF6811STRPBF現貨參數應用及PDF資料下載

    作者:海飛樂技術 時間:2020-12-30 18:15

    IRF6811STRPBF應用
      IRF6811STRPBF將最新的HEXFET®功率MOSFET硅技術與先進DirectFETTM封裝相結合,具有極低的導通電阻。封裝外形為Micro8,尺寸僅為0.7mm。DirectFET封裝與電力應用中使用的現有布局結構兼容。當應用于印刷電路板組裝設備和氣相,紅外或對流焊接技術,是遵循注意事項AN-1035中的有關制造方法和工藝。
      IRF6811STRPbF具有低柵極電阻、低電荷以及超低封裝電感,顯著降低了開關損耗。提高系統可靠性,使該器件成為高性能隔離DC-DC變換器的理想選擇。為最新一代處理器提供更高頻率的電源。
     
    IRF6811STRPBF特性
    符合RoHS
    超?。?lt;0.7 mm)
    雙面冷卻兼容
    超低封裝電感
    高頻開關優化
    CPU核心DC-DC轉換器的理想選擇
    控制FET應用的優化
    兼容現有的表面貼裝技術
    100% RG測試
    與DirectFET兼容的封裝外形
     
    IRF6811STRPBF基本參數
    制造商:Infineon
    產品種類:MOSFET
    安裝風格:SMD/SMT
    封裝/箱體:DirectFET-SQ
    晶體管極性:N-Channel
    通道數量:1 Channel
    Vds-漏源極擊穿電壓:25V
    Id-連續漏極電流:74 A
    Rds On-漏源導通電阻:5.4 mOhms
    Vgs -柵極-源極電壓:±16 V
    Qg-柵極電荷:11 nC
    Pd-功率耗散:32 W
    尺寸:0.7 mm×4.85 mm×3.95 mm
    單位重量:215.558 mg
     
    IRF6811STRPBF其他參數

    IRF6811STRPBF其他參數 
     
    IRF6811STRPBF特性曲線圖
    IRF6811STRPBF特性曲線圖 
     
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