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    IRFB4227PBF現貨參數應用及PDF資料下載

    作者:海飛樂技術 時間:2020-12-23 16:36

    IRFB4227PBF應用
      IRFB4227PBF是HEXFET功率MOSFET,專門為等離子體顯示板中能量回收開關的應用而設計。這種MOSFET采用最新處理技術,以實現低導通電阻和低脈沖額定值。這種MOSFET的附加特性是175℃工作結溫度和高重復峰值電流能力。這些特性結合在一起,使這種MOSFET成為一種高效、耐用和可靠的PDP驅動設備。
     
    IRFB4227PBF特性
    先進工藝技術
    優化的關鍵參數
    低導通柵極電荷,快速響應
    高重復峰值電流能力,可靠運行
    短下降和上升時間,快速切換
    175℃工作結溫度,提高耐用性
    魯棒性和可靠性的重復雪崩能力
    D類音頻放大器300W-500W(半橋)
     
    IRFB4227PBF基本參數
    制造商:Infineon
    產品種類:MOSFET
    RoHS: 符合
    技術:Si
    安裝風格:Through Hole
    封裝/箱體:TO-220-3
    晶體管極性:N-Channel
    通道數量:1 Channel
    Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
    Id-連續漏極電流:65 A
    Rds On-漏源導通電阻:24 mOhms
    Vgs -柵極-源極電壓:±30 V
    Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V
    Qg-柵極電荷:70 nC
    工作溫度范圍:- 40℃~+ 175℃
    Pd-功率耗散:330 W
    尺寸:15.65 mmx10 mmx4.4 mm
    正向跨導-最小值:49 S
    下降時間:31 ns
    上升時間:20 ns
    典型關閉延遲時間:21 ns
    典型接通延遲時間:33 ns
    單位重量:6 g
     
    IRFB4227PBF電力特性

    IRFB4227PBF電力特性 
     
    IRFB4227PBF特性曲線圖
    IRFB4227PBF特性曲線圖 
     
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    IRFB4227PBF  PDF資料下載




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