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    英飛凌第五代高效率1200V CoolSiC肖特基二極管

    作者:海飛樂技術 時間:2019-04-17 15:44

    英飛凌第五代高效率高可靠性1200V CoolSiC肖特基二極管 
      英飛凌現已推出采用TO-247-2腳封裝的第五代1200V CoolSiC系列 肖特基二極管,可輕松替換當前常用的硅二極管。
     
      新的封裝將爬電距離和電氣間隙增至8.7mm,能夠在嚴重污染環境中實現非凡安全性。結合硅IGBT或超結MOSFET,譬如,在三相系統中用于Vienna整流或PFC升壓,CoolSiC系列二極管相比于硅二極管,效率可提高1%或以上,PFC和DC-DC級的輸出功率可增加40%或以上。除開關損耗微乎其微之外——這是碳化硅肖特基二極管的標志性特點——第五代CoolSiC系列二極管產品還具備出類拔萃的正向電壓(VF),VF受溫度影響的偏移小,并且擁有超強的浪涌電流能力。得益于此,該系列產品能夠以極具吸引力的價位,提供市場領先的效率和出色的系統可靠性。
     
      歸功于業內最低正向電壓(VF)和不易受溫度影響的特性,相對于市場上的碳化硅二極管,第五代CoolSiC系列二極管在整個負載范圍內具備最低靜態損耗,同時10A CoolSiC系列二極管具備與30A超快硅二極管相當的正向電壓,提供了硅二極管之外更具吸引力的選擇。與此同時,它的反向恢復電荷幾乎為零。
    650V Si IGBT/Si SJ MOS and 1200V SiC diode 
    650V Si IGBT/Si SJ MOS and 1200V SiC diode/ultrafast Si diode in a Vienna rectifier topology fsw = 48Hz
     
      歸功于業內最低正向電壓(VF)和不易受溫度影響的特性,相對于市場上的碳化硅二極管,第五代CoolSiC系列二極管在整個負載范圍內具備最低靜態損耗,同時10A CoolSiC系列二極管具備與30A超快硅二極管相當的正向電壓,提供了硅二極管之外更具吸引力的選擇。與此同時,它的反向恢復電荷幾乎為零。
    CoolSiC肖特基二極管特性 
     
    關鍵特性
    1. 無反向恢復電流,無正向恢復電壓
    2. 開關性能不受溫度影響 
    3. 即使在較高溫度下,可保持較低正向電壓
    4. 正向電壓參數分布集中
    5. 超強的浪涌電流能力
    6. 2腳封裝,爬電距離和電氣間隙為8.7mm
     
    主要優勢
    1. 即插即用,輕松取代硅二極管
    2. 相比于硅二極管,系統效率有所提高
    3. 可實現更高頻率/更大功率密度
    4. 提升系統可靠性
     
    CoolSiC肖特基二極管整理器應用 
    Application example - 3-phase Vienna rectifier and DC-DC output rectifier
     
    CoolSiC肖特基二極管PFC應用 
    Application example -3-phase Power Factor Correction (PFC)
     
    產品組合
    CoolSiC肖特基二極管應用案例 
    TO-247和TO-247-2封裝其正向電流最高可達40A,TO-220-2封裝為20A,DPAK封裝為10A。
     
      目標應用包括:太陽能逆變器、電動汽車直流充電系統、開關電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、儲能、電機驅動、電焊機和商用農用車(CAV)等。
    CoolSiC肖特基二極管系列產品 
     
    文章來源:英飛凌工業半導體
     
     
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