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    N溝道增強型18A/200V MOSFET

    作者:海飛樂技術 時間:2020-10-21 11:16

    N溝道增強型18A/200V MOSFET 
      海飛樂技術18N20A4是采用自對準平面技術的硅N溝道增強型VDMOSFET,它可以降低導通損耗,改善開關性能,提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關電路,使系統小型化,效率更高。包裝形式為TO-252,符合RoHS標準。
     
    18N20A4
    快速開關
    低導通電阻(Rdson≤0.12Ω)
    低柵極電荷(24nC)
    低反向傳輸電容(25pF)
    100%單脈沖雪崩能量測試
     
    18N20A4應用:
    逆變器
    去頻閃
    通信電源
    PC電源開關電路
     
    N溝道增強型18A/200V MOSFET絕對值參數
    N溝道增強型18A/200V MOSFET絕對值參數 
     
    N溝道增強型18A/200V MOSFET電參數
    N溝道增強型18A/200V MOSFET電參數 
     
    N溝道增強型18A/200V MOSFET特性曲線圖
    N溝道增強型18A/200V MOSFET特性曲線圖 
     
     
      海飛樂技術MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝,為您提供優質、高效的產品,和國外產品相比,我司的該款產品具有高品質、貨期短、性價比高等優點。更多相關產品資料請聯系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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