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              N溝道增強型6A/1700V高壓MOSFET

              作者:海飛樂技術 時間:2020-09-14 09:52

              N溝道增強型6A/1700V高壓MOSFET 
                海飛樂6N170AHF,硅N溝道增強型6A/1700V高壓MOSFET,采用自對準平面技術,具有開關速度高、功耗低、熱穩定性好、工藝簡單等特點??捎糜诟鞣N功率開關電路,開關電源、驅動馬達、家用電器等領域。使系統小型化,效率更高。包裝形式為TO-3PH,符合RoHS標準。
               
              6N170AHF
              快速切換
              低導通電阻
              門控電荷低,開關損耗小
              快恢復體二極管
              100%單脈沖雪崩能量試驗
               
              6N170AHF應用:
              適配器
              充電器
              SMPS備用電源
               
              6N170AHF絕對值參數
              6N170AHF絕對值參數 
               
              N溝道增強型6A/1700V高壓MOSFET參數
              N溝道增強型6A/1700V高壓MOSFET電參數 
               
              N溝道增強型6A/1700V高壓MOSFET特性曲線圖
              N溝道增強型6A/1700V高壓MOSFET特性曲線圖 
               
              功率MOSFET驅動電路
                功率MOSFET是電壓型驅動器件,沒有少數載流子的存貯效應,輸入阻抗高,因而開關速度可以很高,驅動功率小,電路簡單。但功率MOSFET的極間電容較大,輸入電容CISS、輸出電容COSS和反饋電容CRSS與極間電容的關系可表述為:
                功率MOSFET的柵極輸入端相當于一個容性網絡,它的工作速度與驅動源內阻抗有關。由于 CISS的存在,靜態時柵極驅動電流幾乎為零,但在開通和關斷動態過程中,仍需要一定的驅動電流。假定開關管飽和導通需要的柵極電壓值為VGS,開關管的 開通時間TON包括開通延遲時間TD和上升時間TR兩部分。
                開關管關斷過程中,CISS通過ROFF放電,COSS由RL充電,COSS較大,VDS(T)上升較慢,隨著VDS(T)上升較慢,隨著VDS(T)的升高COSS迅速減小至接近于零時,VDS(T)再迅速上升。
                根據以上對功率MOSFET特性的分析,其驅動通常要求:觸發脈沖要具有足夠快的上升和下降速度;②開通時以低電阻力柵極電容充電,關斷時為柵極提供低 電阻放電回路,以提高功率MOSFET的開關速度;③為了使功率MOSFET可靠觸發導通,觸發脈沖電壓應高于管子的開啟電壓,為了防止誤導通,在其截止 時應提供負的柵源電壓;④功率開關管開關時所需驅動電流為柵極電容的充放電電流,功率管極間電容越大,所需電流越大,即帶負載能力越大。
               
               
                海飛樂技術MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝,為您提供優質、高效的產品,和國外產品相比,我司的該款產品具有貨期短、性價比高等優點。更多相關產品資料請聯系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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